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        IGBT模塊的幾項新技術介紹

        日期:2022-05-19 06:24
        瀏覽次數:628
        摘要:
              IGBT的模塊內置整流模塊電路、逆變主回路和再生回路,以降低損耗和降低成本,這種新型模塊稱為功率集成模塊,簡稱PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模塊是一種高速開關,第四代IGBT在開發中主要采取如下幾項新技術。
          (1)FWD(FreeWheelingDiode)技術
          在模塊中選用降低正向電壓(VF)的二極管器件,據測試在600V和1200V系列中,逆變器載波頻率為10kHz時產生的損耗與舊系列相比降低20%。
          (2)蝕刻模塊單元的微細化技術
          由于控制極的寬度(LH)已達到*佳化設計,故集電—射極之間的飽和電壓VCE(SAT)可降低0.5V,使開關損耗降低。
          (3)NPT(NonPunchThrough)技術
          使載流子壽命得到控制,從而減少開關損耗對溫度的依存性。這樣,可減少長期使用過程中的開關損耗。
          對于IGBT這類高速開關的要求無非是高速性和柔性恢復性。對于正向電壓VF和恢復損耗Err二者相比,在設計時寧可選擇較高的VF值。但當選用高VF值在變頻器低頻工作時,將會使FWD的導通時間加長并使平均損耗增加,也使變頻器在低速高力矩時溫升提高。為此第四代IGBT特別注意到設計*佳的電極構造,從而改善了VF、Err關系,使FWD的VF降低0.4V~0.5V,總損耗減少20%。

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