<form id="xdg59"></form>
<noscript id="xdg59"><center id="xdg59"></center></noscript>
  • <big id="xdg59"></big><noscript id="xdg59"><track id="xdg59"><th id="xdg59"></th></track></noscript>

    <address id="xdg59"></address>
      1. 聯系我們
        聯系人:王先生 郭先生 李小姐
        服務專線:13522816641
        電 話:010-62842129 82176483  
        傳 真:010-62561983
        QQ: 871252939
        MSN:jia_li_da_shi@hotmail.com
        E-mail:
        bjhtc2011@126.com  
        地址:北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
        歡迎登錄我們的網站
        www.jenlight.com 查看相關的產品,
        我們為你提供36524小時5S的服務
        文章詳情

        IGBT模塊在現代電子技術中得到廣泛應用

        日期:2022-05-19 07:44
        瀏覽次數:463
        摘要:
          IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位。
          若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
          IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。


        尊敬的客戶:
          您好,我司致力為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務。主要產品有INFINEON模塊,FERRAZ熔斷器,DYNEX,BUSSMANN熔斷器等等。您可以通過網頁撥打本公司的服務專線了解更多產品的詳細信息,至善至美的服務是我們不斷的追求,歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品,我們將竭誠為您服務!

        京公網安備 11010802026078號

        爆乳高清精品一区二区,美女裸体无遮挡高清免费视频,chinesemature老熟妇高,捏胸亲嘴床震娇喘视频日本